Созданы новые чипы вертикальной флеш-памяти

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства трехмерных (3D) чипов NAND-памяти с вертикальной архитектурой (Vertical NAND, V-NAND), преодолев ограничения в масштабируемости для существующей технологии флэш-памяти NAND, передает "Телеграф", со ссылкой на Chip.ua. Благодаря увеличению производительности чипы 3D V-NAND смогут использоваться в широком спектре устройств потребительской электроники и корпоративных приложениях, в том числе во встраиваемой NAND-памяти и SSD-накопителях.

Новые модули памяти V-NAND имеют плотность записи 128 Гбит каждый. В них используется разработанная компанией Samsung структура вертикальных ячеек на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF), когда данные хранятся в специальной изолированной области ячейки; а также технология вертикальных связей, пронизывающих весь 3D-массив ячеек. С применением обеих этих технологий чипы флэш-памяти 3D V-NAND могут обеспечить в 2 раза большую масштабируемость, по сравнению с двумерными чипами памяти NAND 20-нм класса.

• Самые популярные боевые самолеты в мире

Одно из наиболее важных технологических достижений, которое было применено в чипах памяти Samsung V-NAND, – это технология вертикальных связей. Она позволяет вертикально соединять между собой до 24 слоев ячеек с использованием специальной технологии травления, скрепляя слои электронным путем пробивки отверстий с самого высокого слоя до дна. Благодаря новой вертикальной структуре Samsung может производить флэш-память NAND с более высокой плотностью путем увеличения количества 3D-слоев ячеек без необходимости продолжать 2-мерное масштабирование, которого стало невероятно трудно достичь.