Ученые создали транзисторы из нитрида галлия

Компания Cambridge Electronics, являющаяся подразделением научного отделения Массачусетского технологического института, заявила о создании GaN-транзисторов и силовых электронных схем на основе нитрида галлия. В ходе экспериментов с различными комбинациями прослоек нитрида галлия и других химических элементов, ученым удалось подобрать вариант, имеющий пониженное сопротивление. Себестоимость GaN-транзистора равна кремниевой модели, однако в сотню превосходит ее по производительности.

Новинка потребляет 10-20% меньше, чем их современные аналоги, выделяющие большое количество тепловой энергии в окружающую среду. Использование GaN-транзисторов позволить значительно сократить расходы корпораций Google, Amazon, Facebook на обслуживание серверов дата-центров, потребляющих 2% всей вырабатываемой в США электроэнергии. За счет новинки ученые предполагают увеличить емкость батарей в электромобилях.

На разработку GaN-транзисторов правительство США выделило $70 млн. В продажу разработка поступит в 2025 году.