Ученые создали транзисторы из нитрида галлия
- Автор
- Дата публикации
- Автор
![Ученые создали транзисторы из нитрида галлия](https://telegraf.com.ua/static/storage/thumbs/428x240/e/0e/b6729e6c-3e0e154bb9a7cd643e073fda9c8220ee.jpg?v=4505_1)
Ученые создали GaN-транзисторы из нитрида галлия, потребляющие на 10-20% меньше, чем их современные аналоги.
Компания Cambridge Electronics, являющаяся подразделением научного отделения Массачусетского технологического института, заявила о создании GaN-транзисторов и силовых электронных схем на основе нитрида галлия. В ходе экспериментов с различными комбинациями прослоек нитрида галлия и других химических элементов, ученым удалось подобрать вариант, имеющий пониженное сопротивление. Себестоимость GaN-транзистора равна кремниевой модели, однако в сотню превосходит ее по производительности.
Новинка потребляет 10-20% меньше, чем их современные аналоги, выделяющие большое количество тепловой энергии в окружающую среду. Использование GaN-транзисторов позволить значительно сократить расходы корпораций Google, Amazon, Facebook на обслуживание серверов дата-центров, потребляющих 2% всей вырабатываемой в США электроэнергии. За счет новинки ученые предполагают увеличить емкость батарей в электромобилях.
На разработку GaN-транзисторов правительство США выделило $70 млн. В продажу разработка поступит в 2025 году.