Ученые смогли создать монокристаллические пленки EuO на кремнии

Ученые из лаборатории при Центре НБИКС-технологий имени Курчатова смогли создать монокристаллические пленки EuO на кремнии.

Ученые из лаборатории при Центре НБИКС-технологий имени Курчатова смогли создать монокристаллические пленки EuO на кремнии, чтобы определить их магнитные, структурные и электронные физические свойства. Об этом написано в статье в журнале Journal of Materials Chemistry C. Ранее усовершенствование микроэлектрических приборов осуществлялось в соответствии с законом Мура.

Каждые два года ученые удваивали количество транзисторов, увеличивая и частоту. Но из-за миниатюризации элементов микросхем принципы работы установки на основе кремния переставали работать. Закон Мура впервые перестал работать в 2003 году. Тогда транзисторы должны были показывать частоту 4 ГГц, а в 2007 – 10 ГГЦ. Однако до нынешнего времени они показывают частоту не более 3,2 ГГЦ.

В новом исследовании ученые решили преодолеть барьер с помощью соединения кремния и ферромагнитного полупроводника. В таком случае кристаллы вещества-полупроводника создаются на поверхности кристаллов кремния и образовываются новые спиновые контакты. Результаты работы дают возможность создавать новые спиновые транзисторы и инжекторы.