Samsung Galaxy S9 может получить чип памяти на 512 ГБ

Компания Samsung начала выпуск чипов памяти на 512 ГБ, демонстрирующих высокую скорость передачи данных.

Samsung запустила массовое производство скоростной флеш-памяти eUFS для следующего поколения мобильных устройств. Новые чипы обладают рекордной емкостью в 512 гигабайт и демонстрируют высокую скорость передачи данных.

Особенности

В модулях используется 64-слойная технология вертикальной компоновки V-NAND. Samsung удалось вдвое увеличить плотность хранения хранения информации по сравнению с решениями на 256 ГБ. Даже после установки операционной системы на 512-гигабайтный накопитель способен вместить порядка 130 роликов в 4K-разрешении и длительностью около 10 минут каждый. Это примерно в 10 раз больше, чем на смартфоне с 64 ГБ памяти.

Скорость чтения в eUFS-чипах достигает 860 МБ/с, а при последовательной записи — 255 МБ/с. В результате фильм размером 5 ГБ можно будет передать всего за 6 секунд, более чем в 8 раз быстрее по сравнению с обычной карточкой памяти microSD. Максимальное число операций при чтении/записи случайных блоков — до 42000 / 40000 IOPS.

В компании ничего не говорят о сроках выхода первых устройств с чипами памяти на 512 гигабайт. Возможно, первым будет флагман Samsung Galaxy S9 или следующая модель линейки Note, которая выйдет во второй половине 2018 года. Правда, до сих пор смартфоны корейского гиганта не ставили рекордов емкости накопителя — в семействе Galaxy S8 были только варианты на 64 и 128 гигабайт, а Galaxy Note 8 на 256 ГБ официально продается только в некоторых странах.