Будущие флагманские смартфоны Samsung получат сверхбыструю ОЗУ

Автор
Будущие флагманские смартфоны Samsung получат сверхбыструю ОЗУ

Samsung выпустит сверхбыструю ОЗУ для будущих флагманов

Samsung приступил к массовому производству первого в отрасли 12-гигабитного LPDDR5 модуля памяти для телефонов. Компания представила эту технологию в 2018 году.

Также Samsung начнет изготавливать 12-гигабайтные LPDDR5 планки памяти в конце июля. Как и текущее поколение ОЗУ LPDDR4X, новые модули памяти построены на 10-нанометровом чипе Samsung второго поколения. По заявлению производителя, он в 1,3 раза быстрее предшественника и потребляет на 30% меньше энергии.

Восемь таких чипов в одной планке на 12 Гб позволят смартфонам с поддержкой 5G передавать 44 ГБ данных за одну секунду. Такие смартфоны можно будет использовать для машинного обучения и искусственного интеллекта.

MediaTek разрабатывает игровой процессор Helio G90

Представители Samsung сообщили, что эти модули будут использоваться во флагманских телефонах следующего поколения, которые выйдут в 2020 году.