Samsung будет выпускать NAND-память по 10-нм техпроцессу

Оборудование, которое установят на заводе, позволит выпускать микросхемы NAND-памяти по передовому техпроцессу 10-нм класса. Именно эти компоненты являются критически важными для производства высокоскоростных и емкостных средств хранения данных.

Согласно утвержденным планам, завод Samsung по производству модулей памяти заработает в полную мощность в 2014 году. Первоначальные инвестиции компании Samsung Electronics в фабрику в Сиане составят $2,3 млрд. поэтапно дойдя до отметки в $7 млрд. Таким образом, строительство завода в Китае станет одним из самых крупных инвестиционных проектов в истории компании.

Город Сиан был столицей многих китайских правящих династий более тысячи лет, а теперь является признанной столицей передовых ИТ-технологий. В промышленном ландшафте Сиана есть все ключевые ресурсы, необходимые для производства передовых ИТ-решений, включая воду и электроэнергию, а также солидная база высококвалифицированных сотрудников для работы в сфере R&D и технологий производства.

Именно в Сиане находится 37 университетов и 3 000 R&D центров, специализирующихся на инновациях в сфере информационных технологий. Для более тесной интеграции бизнеса с наукой, компания Samsung стартовала специальную академическую программу сотрудничества с известными местными университетами, которая будет включать в себя стипендии для одаренных школьников.